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Come annunciato a Gennaio, Samsung ha mostrato per la priva volta il primo modulo di memoria DDR3 con una capacità totale di 32 GB.

Rispetto ai normali moduli DDR3, che lavorano con una tensione di alimentazione di 1,5 volt, quello i moduli Samsung, utilizzano una tensione di 1,35 volt aumentando il throughput del 20%. Nato appositamente per i Server, questo modulo è composto da 72 chip DDR3 da 4 Gbit prodotti da Samsung con un processo produttivo a 50 nanometri. Su ogni lato vi sono nove package quad-die da 16 Gbit l’una.

Rispetto ai moduli di memoria da 8 GB usati negli attuali server, il nostro nuovo modulo ha una densità quattro volte superiore, livelli di energia significativamente inferiori e dimensioni normali“, questo quanto detto da Jim Elliott, vice president del memory marketing di Samsung Semiconductor, riguardo al nuovo modulo DDR3 da 32Gb.

Ancora Samsung non dichiara una data precisa per l’uscita di questi nuovi moduli, ma secondo IDC, alla fine del 2009 il mercato gmondiale delle memorie DDR3 sarà il 29% di tutto il mercato delle DRAM. Nel 2011 questa quota arriverà al 75%.

Qui sotto una tabella contenente i dati ipotizzati per il futuro mercato delle DDR3

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